91亚洲人成网污www,亚洲精品国产精品乱码不99,蜜臀av一区,日本美女一区

INS2001W 是一款高性能的 100V 半橋驅動器，專門設計用于高效驅動氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）。它提供獨立的高端和低端邏輯輸入，以及用于精確控制開啟/關閉速度的分流輸出。 該驅動器具有強大的驅動能力，上拉電阻為 1Ω，下拉電阻為 0.2Ω。 內部集成的智能引導開關（BST）可以在死區時間內有效防止高側浮動電源 BST 電容過充，從而保護 GaN FET 的柵極，并確保兩側 GaN FET 的柵極電壓保持一致。

INS2001W 具備快速的傳播延遲（典型值 14ns）和出色的延遲匹配（典型值 1ns），這使得它非常適合高頻應用。 它支持高達 100V DC 的高壓側浮動電源操作。 為了確保系統的可靠性，INS2001W 內置了多種保護功能，包括欠壓鎖定（UVLO）、過壓鎖定（OVLO）和過溫保護（OTP）。 此外，它還具有低至 35μA 的 VCC 靜態電流。 INS2001W 采用緊湊的 WLCSP 1.62mmx1.62mm 封裝。

這款驅動器廣泛應用于各種電力電子領域，包括半橋和全橋轉換器、高壓同步 DC-DC 轉換器以及需要高頻率和高功率密度的應用。 它也適用于 48V 直流電機驅動、大功率 D 類音頻功率放大器以及汽車領域的 48V/12V 雙向 DC-DC 轉換器。 INS2001W 解決了傳統 MOSFET 驅動方案在驅動 GaN FET 時面臨的諸多挑戰。 英諾賽科還提供了其他 GaN 驅動器產品，例如單通道驅動器 INS1001DE 和半橋驅動器 INS2001FQ，以豐富氮化鎵應用生態。 這些驅動器針對不同電壓等級的氮化鎵功率器件進行了優化，可為數據中心、汽車電子、太陽能微逆等領域提供高性能解決方案。