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英諾賽科自2015年起專注于氮化鎵（GaN）芯片的研發與產業化，致力于以創新技術重塑行業。總部位于中國蘇州，公司通過垂直整合的IDM模式，實現了從襯底到器件的全鏈條技術突破，加速了氮化鎵的應用。

IDM模式集設計、制造、封測于一體，使英諾賽科能夠掌控氮化鎵芯片全產業鏈，快速響應市場需求，保持技術領先。公司掌握全球領先的8英寸硅基氮化鎵量產技術，產品具備高頻、高效、高可靠性等優勢，性能較傳統硅基器件大幅提升，功耗顯著降低。

通過持續創新，英諾賽科突破了大尺寸晶圓良率瓶頸，降低了氮化鎵芯片成本，加速了其在消費電子、新能源、汽車電子等領域的普及。從智能手機快充到新能源汽車逆變器，氮化鎵技術正在各個領域展現優勢。在新能源車市場，氮化鎵功率模塊助力800V高壓平臺實現快速充電。在光伏儲能領域，器件助力系統效率突破新高。

憑借卓越技術和產品，英諾賽科贏得了全球客戶的認可，累計出貨數億顆芯片，客戶覆蓋全球頭部企業。公司正與全球合作伙伴攜手，推動氮化鎵技術創新與應用，構建更高效、節能、智能的未來。